基本信息

性别：男    ||  出生年月：1985年10月    ||  政治面貌：党员

现任职称：实验师

最后学历： 研究生     ||  最后学位：博士    ||  获学位单位：大连理工大学 

联系方式：     ||  邮箱：     ||  通讯地址：澳门尼威斯人网站8311

所属院系、学科及研究方向

所属学院：澳门尼威斯人网站8311

所属系：  智能感知工程系

所属学科：微电子学与固体电子学

研究方向1：半导体材料与器件

研究方向2：分子束外延

工作简历 

2020.10-至今  澳门尼威斯人网站8311 澳门尼威斯人网站8311 实验师

2008.7-2020.9 北京大学         物理学院               博士后

主要论文目录 

[1] X. T. Zheng, T. Wang, B. W. Sheng, P. Wang, X. X. Sun, D. Wang, Z. Y. Chen, P. Quach, Y. X. Wang, X. L. Yang, F. J. Xu, Z. X. Qin, T. J. Yu, W. K. Ge, B. Shen, and X. Q. Wang*, Full-composition-graded In_xGa_1-xN films grown by molecular beam epitaxy,

Appl. Phys. Lett., 2020, 117, 182101.

[2] X. T. Zheng, W. Huang, H. W. Liang*, P. Wang, Y. Liu, Z. Y. Chen, P. Liang, M. Li, J. Zhang, Y. H. Chen and X. Q. Wang*. Investigation of InGaN layer grown under In-rich condition by reflectance difference spectroscopy microscope,

Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 18 7468.

[3] X. T. Zheng, H. W. Liang*, P. Wang, X. X. Sun, Z. Y. Chen, T. Wang, B. W. Sheng, Y. X. Wang, L. Chen, D. Wang, X. Rong, M. Li, J, Zhang, X. Q. Wang*. Effect of indium droplets on growth of InGaN film by molecular beam epitaxy,

Superlattices and Microstructures, 2018, 113 650-656.

[4] X. T. Zheng, L. Guo, H. W Liang, P. Wang, S. B. Wang, T. Wang, X. Rong, B. W. Sheng, X. L. Yang, F. J. Xu, Z. X. Qin, B. Shen, and X. Q. Wang*. Photoconductivity in In_xGa_1-xN epilayers,

Optical Materials Express, 2016, 6, 3, 000815.